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2026.08
瑞萨电子推出的第三代MRDIMM 将DDR5内存性能提升至16,000MT/s，赋能下一代AI与HPC应用
瑞萨将于2026年8月4日至6日在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的FMS 2026（存储与内存未来大会）上展示第三代MRDIMM内存接口组件（展位号#807），包括支持下一代MRDIMM性能的第三代多路复用寄存时钟驱动器（MRCD，RRG5013x）和多路复用数据缓冲器（MDB，RRG5103x）。
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